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  • 2SJ-Transistoren

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  • Typ:

    2SJ103

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Ausführung:

    P-FET

  • Ucbo:

    50 V

  • Ic:

    3 A

  • Ptot:

    300 m W

  • RDS(on):

    270 Ohm

  • Igf:

    -10 mA

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    2SJ162

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-3P

  • Ausführung:

    P-FET

  • Ucbo:

    160 V

  • Ic:

    7 A

  • Ptot:

    100 W

Verpackungsgewicht:

0,005 kg

 
  • Typ:

    2SJ74

  • Technologie:

    Feldeffekttransistor

  • Gehäuse:

    TO-92

  • Ausführung:

    P-FET

  • Ucbo:

    25 V

  • Ic:

    1 mA

Verpackungsgewicht:

0,000 kg