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  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    SO-8

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    1 Kb

  • Word Size:

    8 bit

  • Spannungsbereich:

    1,8 ... 5,5 V

  • Geschwindigkeit:

    max. 2 MHz

  • ORG Pin:

    nein

  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Länge:

    6 mm

  • Breite:

    3,9 mm

  • Höhe:

    1,75 mm

  • Bauform:

    SOIC

  • Page Size:

    - Bytes

  • Schreibschutz:

    ja

  • Cascade:

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    DIP-8

  • Speicher:

    1 Kb

  • Word Size:

    16 bit

  • Spannungsbereich:

    1,8 ... 5,5 V

  • Geschwindigkeit:

    max. 2 MHz

  • ORG Pin:

    nein

  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Länge:

    9,27 mm

  • Breite:

    6,35 mm

  • Höhe:

    5,33 mm

  • Bauform:

    PDIP-8

  • Page Size:

    - Bytes

  • Schreibschutz:

    ja

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    1 Kb

  • Word Size:

    16 bit

  • Spannungsbereich:

    1,8 ... 5,5 V

  • Geschwindigkeit:

    max. 2 MHz

  • ORG Pin:

    nein

  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Länge:

    6 mm

  • Breite:

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  • Höhe:

    1,75 mm

  • Bauform:

    SOIC

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    ja

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

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    DIP-8

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    1 Kb

  • Word Size:

    x8/x16 bit

  • Spannungsbereich:

    1,8 ... 5,5 V

  • Geschwindigkeit:

    max. 3 MHz

  • ORG Pin:

    ja

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    6 ms

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    1.000.000 E/W Cycles

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

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    SO-8

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    8 bit

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    nein

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    6 ms

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    -40 ... +85 °C

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    6 mm

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    1,75 mm

  • Bauform:

    SOIC

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    ja

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    DIP-8

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  • Word Size:

    x8/x16 bit

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    ja

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    6 ms

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    1.000.000 E/W Cycles

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  • Bauform:

    PDIP-8

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Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    SOT-23

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    1 Kb

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    x8/x16 bit

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    4,5 ... 5,5 V

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  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SOT-23

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    DIP-8

  • Speicher:

    1 Kb

  • Word Size:

    8 bit

  • Spannungsbereich:

    2,5 ... 5,5 V

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  • ORG Pin:

    nein

  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

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    9,27 mm

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    5,33 mm

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    PDIP-8

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    ja

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    1 Kb

  • Word Size:

    8 bit

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    2,5 ... 5,5 V

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    max. 2 MHz

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    nein

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    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

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    6 mm

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  • Bauform:

    SOIC

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    ja

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0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    DIP-8

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  • Word Size:

    16 bit

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    2,5 ... 5,5 V

  • Geschwindigkeit:

    max. 2 MHz

  • ORG Pin:

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  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

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    -40 ... +85 °C

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    9,27 mm

  • Breite:

    6,35 mm

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    5,33 mm

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    PDIP-8

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    ja

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Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

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    nein

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  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

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  • Typ:

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    Microwire

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    ja

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    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

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    9,27 mm

  • Breite:

    6,35 mm

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    5,33 mm

  • Bauform:

    PDIP-8

  • Page Size:

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  • Schreibschutz:

    ja

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    1 Kb

  • Word Size:

    x8/x16 bit

  • Spannungsbereich:

    2,5 ... 5,5 V

  • Geschwindigkeit:

    max. 3 MHz

  • ORG Pin:

    ja

  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Länge:

    6 mm

  • Breite:

    3,9 mm

  • Höhe:

    1,75 mm

  • Bauform:

    SOIC

  • Page Size:

    - Bytes

  • Schreibschutz:

    ja

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    -

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    2K bits

  • Word Size:

    8 bit

  • Spannungsbereich:

    2,5 ... 5,5 V

  • Geschwindigkeit:

    max. 2 MHz

  • ORG Pin:

    nein

  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Länge:

    6 mm

  • Breite:

    3,9 mm

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    1,75 mm

  • Bauform:

    SOIC

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    ja

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    2K bits

  • Word Size:

    16 bit

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    2,5 ... 5,5 V

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    max. 2 MHz

  • ORG Pin:

    nein

  • Write Cycle:

    6 ms

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    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Länge:

    6 mm

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    3,9 mm

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    1,75 mm

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    SOIC

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  • Schreibschutz:

    ja

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Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    Microwire

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    2K bits

  • Word Size:

    x8/x16 bit

  • Spannungsbereich:

    2,5 ... 5,5 V

  • Geschwindigkeit:

    max. 3 MHz

  • ORG Pin:

    ja

  • Write Cycle:

    6 ms

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Länge:

    6 mm

  • Breite:

    3,9 mm

  • Höhe:

    1,75 mm

  • Bauform:

    SOIC

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  • Schreibschutz:

    ja

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Verpackungsgewicht:

0,001 kg