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  • EEPROM seriell Microchip

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  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,8 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

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    16 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 100 KHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SO-8

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SOT-23

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,8 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

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    16 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 100 KHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SOT-23

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SO-8N

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,8 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

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    16 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 100 KHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SO-8N

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SOT-23-3

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,8 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

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    max. 100 KHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SOT-23-3

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    2 Kbit

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    nein

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    16 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SO-8

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SO-8N

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    nein

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    16 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SO-8N

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SOT-23-5

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    nein

  • Page Size:

    16 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SOT-23-5

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    DIP-8

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    nein

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    16 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    DIP-8

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    nein

  • Page Size:

    16 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SO-8

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SO-8

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

  • Page Size:

    8 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SO-8

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SOT-23-5

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

  • Page Size:

    8 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SOT-23-5

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    8-PDIP

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

  • Page Size:

    8 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    8-PDIP

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SO-8N

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

  • Page Size:

    8 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SO-8N

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SOT-23-5

  • Speicher:

    2 Kb

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

  • Page Size:

    8 Bytes

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SOT-23-5

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    DIP-8

  • Speicher:

    1024K bit (x8)

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

  • Page Size:

    128 Bytes

  • Write Cycle:

    5 ms

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Cascade:

    4

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    DIP-8

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    EEPROM

  • Technologie:

    seriell

  • Gehäuse:

    SO-8-208

  • Speicher:

    1024K bit (x8)

  • Spannungsbereich:

    1,7 - 5,5 V

  • Schreibschutz:

    ja

  • Page Size:

    128 Bytes

  • Write Cycle:

    5 ms

  • Geschwindigkeit:

    max. 400 kHz

  • Cascade:

    4

  • Lebensdauer:

    1.000.000 E/W Cycles

  • Temperaturbereich:

    -40 ... +85 °C

  • Bauform:

    SO-8-208

  • Teileanzahl:

    1 Teile

Verpackungsgewicht:

0,001 kg