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  • IRFB..-IRFI.. Transistoren

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  •  1 - 16 von  51  Artikeln. 
 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    TO-220AB

  • UDS:

    200 V

  • Ic25:

    56 A

  • Ptot:

    380 W

  • RDS(on):

    40 mOhm

  • td (on):

    12 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    12 ns

Verpackungsgewicht:

0,004 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Effizienz-Synchrongleichrichter

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    TO-220AB

  • UDS:

    60 V

  • Ic25:

    195 A

  • RDS(on):

    2,1 mOhm

  • td (on):

    16 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    118 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Effizienz-Synchrongleichrichter

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    DIP-4

  • UDS:

    60 V

  • Ic25:

    120 A

  • Ptot:

    370 W

  • RDS(on):

    2,8 mOhm

  • td (on):

    25 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    69 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    DIP-4

  • UDS:

    200 V

  • Ic25:

    31 A

  • Ptot:

    200 W

  • RDS(on):

    82 mOhm

  • td (on):

    13 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    13 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    DIP-4

  • UDS:

    60 V

  • Ic25:

    120 A

  • RDS(on):

    2,4 mOhm

  • td (on):

    19 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    55 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    DIP-4

  • UDS:

    75 V

  • Ic25:

    120 A

  • RDS(on):

    3,3 mOhm

  • td (on):

    20 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    55 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    DIP-4

  • UDS:

    75 V

  • Ic25:

    120 A

  • RDS(on):

    4,6 mOhm

  • td (on):

    15 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    38 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    P-FET

  • Gehäuse:

    DIP-4

  • UDS:

    75 V

  • Ic25:

    80 A

  • RDS(on):

    7,34 mOhm

  • td (on):

    16 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    43 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    TO-220AB

  • UDS:

    60 V

  • Ic25:

    43 A

  • Ptot:

    71 W

  • RDS(on):

    12,6 mOhm

  • td (on):

    6,3 ns

  • UGS(th):

    2 ... 4 V

  • td (off):

    49 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    P-FET

  • Gehäuse:

    DIP-4

  • UDS:

    200 V

  • Ic25:

    38 A

  • Ptot:

    300 W

  • RDS(on):

    54 mOhm

  • td (on):

    16 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    47 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    P-FET

  • Gehäuse:

    DIP-4

  • UDS:

    150 V

  • Ic25:

    17 A

  • Ptot:

    80 W

  • RDS(on):

    80 mOhm

  • td (on):

    7 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    12 ns

Verpackungsgewicht:

0,004 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    TO-220-Fullpak

  • UDS:

    200 V

  • Ic25:

    18 A

  • RDS(on):

    80 mOhm

  • td (on):

    7,8 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    16 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Effizienz-Synchrongleichrichter

  • Ausführung:

    N-Ch

  • Gehäuse:

    TO-220AB

  • UDS:

    100 V

  • Ic25:

    180 A

  • Ptot:

    370 W

  • RDS(on):

    3,7 mOhm

  • td (on):

    25 ns

  • UGS(th):

    2 ... 4 V

  • td (off):

    78 ns

Verpackungsgewicht:

0,001 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Effizienz-Synchrongleichrichter

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    TO-220-Fullpak

  • UDS:

    150 V

  • Ic25:

    104 A

  • Ptot:

    380 W

  • RDS(on):

    9,3 mOhm

  • td (on):

    18 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    41 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Effizienz-Synchrongleichrichter

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    TO-220AB

  • UDS:

    200 V

  • Ic25:

    76 A

  • Ptot:

    375 W

  • RDS(on):

    17 mOhm

  • td (on):

    17 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    56 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg

 
  • Typ:

    Leistungs-MOSFET

  • Technologie:

    Hochfrequenz-DC-DC-Wandler

  • Ausführung:

    N-FET

  • Gehäuse:

    TO-220-Fullpak

  • UDS:

    150 V

  • Ic25:

    41 A

  • Ptot:

    200 W

  • RDS(on):

    45 mOhm

  • td (on):

    16 ns

  • UGS(th):

    2 V

  • td (off):

    25 ns

Verpackungsgewicht:

0,002 kg