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  • Z-Dioden, 1,3W

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  •  1 - 16 von  42  Artikeln. 
 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    SOD-66 (DO-41)

  • Spannung:

    10 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,8 Korpus (55,6 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL

  • Spannung:

    100 V

  • Toleranz:

    ca. 10 %

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -50 ... +150 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    62,5 (5,1 Korpus) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    11 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    12 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    13 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    15 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    16 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    18 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL

  • Spannung:

    2,7 V

  • Toleranz:

    ca. 10 %

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -50 ... +150 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    62,5 (5,1 Korpus) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    20 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    22 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    24 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    27 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL

  • Spannung:

    3,0 V

  • Toleranz:

    ca. 10 %

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -50 ... +150 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    62,5 (5,1 Korpus) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    3,3 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg

 
  • Typ:

    Zenerdiode

  • Technologie:

    flächendiffundiert

  • Ausführung:

    glasversiegelt, Silizium-Leistungs-Diode

  • Gehäuse:

    DO-204AL(DO-41)

  • Spannung:

    3,6 V

  • Toleranz:

    5%

  • Ptot:

    1,3 W

  • Temperaturbereich:

    -65 … 200 °C

  • Ø:

    2,6 (0,8 Drahtanschluss) mm

  • Länge:

    4,25 Korpus (55,05 gesamt) mm

  • Gewicht:

    0,4 g

Verpackungsgewicht:

0,000 kg